| 區分 | 接點組成 | 型號 | 額定電壓(V) |
|---|---|---|---|
|
繼電器輸出 |
1a×4 |
G6D-4B |
DC12 |
| DC24 | |||
|
功率MOS FET繼電器輸出 |
G3DZ-4B
|
DC12 | |
| DC24 |
G6D-4B / G3DZ-4B
產品特色
適合狹小安裝空間的垂直型4點輸出用端子繼電器
寬28×高90×深45mm的省空間型。
備有搭載G6D型繼電器型和無接點G3DZ型功率MOS FET繼電器型，種類齊全。
端子為IN/OUT分離構造，方便配線。
附動作指示用LED。
內藏線圈突波吸收用二極體。
專用插座設計，繼電器更換容易。
鋁軌安裝、螺絲安裝皆可。
附繼電器拆卸工具。
本體
訂購時請指定額定電壓。
選購品（另售）
更換用繼電器
| 適用端子繼電器型號 | 型號 | 額定電壓(V) |
|---|---|---|
| G6D-4B | G6D-1A-ASI | DC12 |
| DC24 | ||
| G3DZ-4B | G3DZ-2R6PL | DC12 |
| DC24 |
額定
繼電器規格
操作線圈（每台G6D型繼電器）
| 額定電壓 (V) |
額定電流 (mA) |
線圈阻抗 (Ω) |
動作電壓 (V) |
復歸電壓 (V) |
最大容許電壓 (V) |
消耗電力 (mW) |
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DC |
12 |
18.7 |
720 |
70%以下 ＊ |
10% 以上 |
1.3 |
約200 |
|
24 |
10.5 |
2880 |
|||||
＊惟當上下方向顛倒安裝時為75％以下。
註：1. 額定電流、線圈阻抗為線圈溫度＋23℃ 時的值，公差為±10％。
註：2. 動作特性為線圈溫度＋23℃ 時的值。
註：3. 最大容許電壓為繼電器線圈操作電源之允許電壓變動範圍的最大值。並非連續容許。
註：4. 額定電流包含端子的LED電流。
開閉部（每台G6D型繼電器）
| 負載 | 電阻負載(cosΦ =1) |
|---|---|
| 額定負載 | AC 250V 3A、DC 30V 3A |
| 額定通電電流 | 3A |
| 最大接點電壓 | AC 250V、DC 30V |
| 最大接點電流 | 3A |
| 最大關閉容量(參考值) | 750VA、90W |
功率MOS FET繼電器規格
輸入(每台G3DZ型功率MOS FET繼電器)
| 額定電壓 (V) |
操作電壓 | 動作電壓位準 | 復歸電壓位準 | 輸入阻抗 | 額定電流 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
DC |
12 |
DC9.6～14.4V |
DC9.6V以下 |
DC1V以上 |
2kΩ±20% |
8.0mA±20% |
|
24 |
DC19.2～28.8V |
DC19.2V以下 |
4kΩ±20% |
8.2mA±20% |
||
註. 額定電流包含端子的LED電流。
輸出(每台G3DZ型功率MOS FET繼電器）
| 負載電壓 | 負載電流 | 突波電流耐量 |
|---|---|---|
|
AC3～264V DC3～125V |
100μ～0.3A |
6A (10ms) |
註. G3DZ型無輸出極性。
性能
| 型號 | G6D-4B | |
|---|---|---|
| 繼電器輸出 | ||
| 接觸電阻 ＊1 | 100mΩ以下 | |
| 動作時間 ＊2 | 10ms以下 | |
| 復歸時間 ＊2 | 15ms以下 | |
| 絕緣阻抗 | 1,000MΩ min. (at 500 VDC) | |
| 耐電壓 | 線圈/接點之間 | AC 2,000V 50/60Hz 1min |
| 同極接點之間 | AC 750V 50/60Hz 1min | |
| 耐衝擊電壓(線圈接點間) | 4,000V(1.2×50μs) | |
| 震動 | 耐久 | 10～55～10Hz 單側振幅0.75mm(重複振幅1.5mm) |
| 誤動作 | 10～55～10Hz 單側振幅0.75mm(重複振幅1.5mm) | |
| 衝擊 | 耐久 | 500m/s2 |
| 誤動作 | 100m/s2 | |
| 耐久性 | 機械性 | 2,000萬次以上(開閉頻率18,000次/h) |
| 電氣性 ＊2 | AC 250V 3A(電阻負載)10萬次以上 DC 30V 3A(電阻負載)10萬次以上 (開閉頻率 1,800次/h) |
|
| 故障率P水準(參考值 ＊3) | DC5V、10mA | |
| 使用環境溫度、 保存環境溫度 | -25～+55℃(不可結冰) | |
| 使用環境濕度 | 45～85%RH | |
| 重量 | 約70g | |
註. 初始值。
＊1. 量測條件：DC 5V 1A
＊2. 環境溫度條件：＋23℃
＊3. 此值為開閉頻率120次/min時的值。
| 型號 | G3DZ-4B |
|---|---|
| 功率MOS FET繼電器輸出 | |
| 動作時間 | 10ms以下 |
| 復歸時間 | 15ms以下 |
| 輸出ON電阻 | 2.4Ω以下 |
| 開路時漏電流 | 10μA以下(DC 125V時) |
| 絕緣阻抗 | 100MΩ min. (at 500 VDC) |
| 介電強度 | AC 2,000V 50/60Hz 1min |
| 震動 | 10～55～10Hz 單側振幅0.75mm(重複振幅1.5mm) |
| 衝擊 | 500m/s2 |
| 使用環境溫度、 保存環境溫度 | -25～+55℃(不結冰) |
| 使用環境濕度 | 45～85%RH |
| 重量 | 約65g |
（單位：mm）
本體
G6D-4B型G3DZ-4B型
中文
| 型錄名稱 | 型錄編號 [容量] |
更新日期 | |
|---|---|---|---|
 G6D-4B/G3DZ-4B 規格說明書 |
- [1224KB] |
2017年4月12日
20170412
|
G6D-4B/G3DZ-4B 規格說明書 |
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